一🙏🏼、存儲器的層次化結構

（1）主存—輔存⏩：實現虛擬存儲系統🔘，解決了主存容量不夠的問題。
（2）Cache—主存🏑：解決了主存與CPU速度不匹配的問題。

二🏃‍➡️🧑🏼‍🦳、存儲器的分類

1. 存儲介質

1.半導體存儲器：主存🔰、Cache🥥。【以半導體器件存儲信息】
2.磁表面存儲器：磁盤、磁帶🪠🍪。【以磁性材料存儲信息】
3.光存儲器：光盤。【以光介質存儲信息】

2. 存取方式

隨機存取存儲器（Random Access Memory, RAM）：讀寫任何一個存儲單元所需時間都相同，與存儲單元所在的物理位置無關。【內存條】

順序存取存儲器（Sequential Access Memory， SAM）🍗：讀寫一個存儲單元所需時間取決於存儲單元所在的物理位置🛀。【磁帶】

直接存取存儲器（Direct Access Memory，DAM）：既有隨機存取特性，也有順序存取特性👌。先直接選取信息所在區域，然後按順序方式存取。【磁盤】

相聯存儲器（Associative Memory）👩🏿‍🎓：即可以按內容訪問的存儲器（Content Addressed Memory🧙🏽‍♂️，CAM）可以按照內容檢索到存儲位置進行讀寫，“快表”就是一種相聯存儲器。

3. 信息的可更改性

讀寫存儲器（Read/Write Memory）——即可讀🧱、也可寫（如：磁盤、內存🏋🏽‍♀️、Cache）

只讀存儲器（Read Only Memory）——只能讀，不能寫（如☕️：實體音樂專輯通常采用 CD-ROM👨🏽‍🔧🚣‍♀️，實體電影采用藍光光碟👩，BIOS通常寫在ROM中）

事實上很多ROM也可多次讀寫🏌🏿，只是比較麻煩

4. 信息的可保存性

• 斷電後🥖，存儲信息消失的存儲器——易失性存儲器（主存、Cache）

• 斷電後🧘🏼‍♀️，存儲信息依然保持的存儲器——非易失性存儲器（磁盤、光盤）

• 信息讀出後，原存儲信息被破壞——破壞性讀出（如DRAM芯片，讀出數據後要進行重寫）

• 信息讀出後↩️，原存儲信息不被破壞——非破壞性讀出（如SRAM芯片、磁盤、光盤）

三👨‍👧‍👧、存儲器的性能指標

1. 存儲容量🕵🏽：存儲字數×字長（如1M×8位）👩🏼‍🦳。

2. 單位成本：每位價格 = 總成本 / 總容量💨。

3. 存儲速度：數據傳輸率 = 數據的寬度 / 存儲周期。

4. 主存帶寬（$B_m$）💪🏿：主存帶寬又稱數據傳輸率🙆🏽，表示每秒從主存進出信息的最大數量，單位為字/秒、字節/秒（B/s）或位/秒（b/s）🐤👩🏼‍🍼。

存取時間與存取周期

① 存取時間（$T_a$）💟：存取時間是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經歷的時間👌🏻，分為讀出時間和寫入時間🙏🏼🕳。
② 存取周期（$T_m$）🤛：存取周期又稱為讀寫周期或訪問周期。它是指存儲器進行一次完整的讀寫操作所需的全部時間，即連續兩次獨立地訪問存儲器操作（讀或寫操作）之間所需的最小時間間隔。

四、總結

來源：https://blog.csdn.net/weixin_43848614/article/details/126820647

作者：何為xl